红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2008年
4期
598-601
,共4页
唐恒敬%吴小利%张可锋%汪洋%贺香荣%李雪%龚海梅
唐恆敬%吳小利%張可鋒%汪洋%賀香榮%李雪%龔海梅
당항경%오소리%장가봉%왕양%하향영%리설%공해매
InGaAs探测器%I-V曲线%串联电阻%理想因子%响应率%噪声
InGaAs探測器%I-V麯線%串聯電阻%理想因子%響應率%譟聲
InGaAs탐측기%I-V곡선%천련전조%이상인자%향응솔%조성
采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声.通过拟合,I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响.结果表明:InGaAs吸收层外延质量与器件的理想因子相关联,影响器件的噪声.但对器件的响应率影响不大.计算了无光照和有光照情况下串联电阻Rs取不同值时器件的I-V曲线,得到串联电阻较小时其作用可忽略,但串联电阻会表观上增大零偏电阻,且串联电阻越大,损失的光电流越多.实验结果证明该方法对改进器件性能有一定的参考意义.
採用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延異質結材料,製備瞭InGaAs線列檯麵探測器,併測試瞭器件的I-V麯線、響應率和譟聲.通過擬閤,I-V麯線得到瞭器件的理想因子和串聯電阻,併分析瞭它們對器件響應率和譟聲的影響.結果錶明:InGaAs吸收層外延質量與器件的理想因子相關聯,影響器件的譟聲.但對器件的響應率影響不大.計算瞭無光照和有光照情況下串聯電阻Rs取不同值時器件的I-V麯線,得到串聯電阻較小時其作用可忽略,但串聯電阻會錶觀上增大零偏電阻,且串聯電阻越大,損失的光電流越多.實驗結果證明該方法對改進器件性能有一定的參攷意義.
채용p-InP/n-InGaAs/n-InP외연이질결재료,제비료InGaAs선렬태면탐측기,병측시료기건적I-V곡선、향응솔화조성.통과의합,I-V곡선득도료기건적이상인자화천련전조,병분석료타문대기건향응솔화조성적영향.결과표명:InGaAs흡수층외연질량여기건적이상인자상관련,영향기건적조성.단대기건적향응솔영향불대.계산료무광조화유광조정황하천련전조Rs취불동치시기건적I-V곡선,득도천련전조교소시기작용가홀략,단천련전조회표관상증대령편전조,차천련전조월대,손실적광전류월다.실험결과증명해방법대개진기건성능유일정적삼고의의.
