硅酸盐通报
硅痠鹽通報
규산염통보
BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2008年
2期
230-235
,共6页
尹少武%王立%刘传平%童莉葛%孙淑凤
尹少武%王立%劉傳平%童莉葛%孫淑鳳
윤소무%왕립%류전평%동리갈%손숙봉
氮化硅%直接氮化%常压氮化%制备
氮化硅%直接氮化%常壓氮化%製備
담화규%직접담화%상압담화%제비
以平均粒径为2.8μm的硅粉为原料,添加氮化硅粉作为稀释剂,对常压氮气下直接氮化制备Si3N4粉的工艺进行了研究,借助于氮氧测定仪、XRD、SEM等检测方法,分析了硅粉常压直接氮化制备Si3N4粉过程中稀释剂种类、稀释剂添加比例、氮化温度、氮化时间等因素对硅的氮化过程的影响.研究结果表明:硅粉在流动常压氮气下,当氮化温度高于1410℃时,硅的转化率迅速增加,氮化产物中β相含量也增加;通过控制稀释剂的添加种类和添加比例、氮化时间和氮化温度,可合成高α相含量的Si3N4.采用平均粒径为2.8μm的硅粉,在常压氮气下,当添加30%的α-Si3N4粉作为稀释剂、氮化温度为1550℃、氮化时间为10min时,合成了氮含量为39.4%,游离硅为0.7%,主要为α相、含部分β相的Si3N4粉.
以平均粒徑為2.8μm的硅粉為原料,添加氮化硅粉作為稀釋劑,對常壓氮氣下直接氮化製備Si3N4粉的工藝進行瞭研究,藉助于氮氧測定儀、XRD、SEM等檢測方法,分析瞭硅粉常壓直接氮化製備Si3N4粉過程中稀釋劑種類、稀釋劑添加比例、氮化溫度、氮化時間等因素對硅的氮化過程的影響.研究結果錶明:硅粉在流動常壓氮氣下,噹氮化溫度高于1410℃時,硅的轉化率迅速增加,氮化產物中β相含量也增加;通過控製稀釋劑的添加種類和添加比例、氮化時間和氮化溫度,可閤成高α相含量的Si3N4.採用平均粒徑為2.8μm的硅粉,在常壓氮氣下,噹添加30%的α-Si3N4粉作為稀釋劑、氮化溫度為1550℃、氮化時間為10min時,閤成瞭氮含量為39.4%,遊離硅為0.7%,主要為α相、含部分β相的Si3N4粉.
이평균립경위2.8μm적규분위원료,첨가담화규분작위희석제,대상압담기하직접담화제비Si3N4분적공예진행료연구,차조우담양측정의、XRD、SEM등검측방법,분석료규분상압직접담화제비Si3N4분과정중희석제충류、희석제첨가비례、담화온도、담화시간등인소대규적담화과정적영향.연구결과표명:규분재류동상압담기하,당담화온도고우1410℃시,규적전화솔신속증가,담화산물중β상함량야증가;통과공제희석제적첨가충류화첨가비례、담화시간화담화온도,가합성고α상함량적Si3N4.채용평균립경위2.8μm적규분,재상압담기하,당첨가30%적α-Si3N4분작위희석제、담화온도위1550℃、담화시간위10min시,합성료담함량위39.4%,유리규위0.7%,주요위α상、함부분β상적Si3N4분.
