CAJ | 학술논문

万方数据

半导体学报 반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年 1期 136-139 ,共4页

郭维廉%张世林%梁惠来%齐海涛%毛陆虹%牛萍娟%于欣%王伟%王文新%陈宏%周均铭

곽유렴%장세림%량혜래%제해도%모륙홍%우평연%우흔%왕위%왕문신%진굉%주균명

RSTT%高速化合物三端功能器件%三端负阻器件%热电子器件%电子转移器件 RSTT%高速化閤物三耑功能器件%三耑負阻器件%熱電子器件%電子轉移器件
RSTT%고속화합물삼단공능기건%삼단부조기건%열전자기건%전자전이기건

采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6峰值电流跨导约为3×10-4 S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.
채용쌍구도결구화GaAs츤저,성공설계연제료쌍구도실공간전자전이정체관.타구유RSTT전형적"A"형부조I-V특성화교관적평탄곡치구.통과책압가개변각충부조삼수치,당책압종0.6V증지1.0V시,PVCR적변화범위시2.1～10.6봉치전류과도약위3×10-4 S.부조삼수VP,VV화개시산생부조적책겁역치전압도소우국제상동류기건적보도치,인차경괄합저공모적운용.