低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
2008年
1期
14-17
,共4页
伍展文%李洁%阳运国%黎松林%孙小松%郑东宁
伍展文%李潔%暘運國%黎鬆林%孫小鬆%鄭東寧
오전문%리길%양운국%려송림%손소송%정동저
离子注入%庞磁阻%脉冲激光沉积
離子註入%龐磁阻%脈遲激光沉積
리자주입%방자조%맥충격광침적
利用脉冲激光沉积(PLD),制备了La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)薄膜.然后在120 keV的能量下,进行了不同剂量(1.0×1012 ion/cm2～1.0×1017 ion/cm2)的H2+离子对LSMO薄膜的注入研究.随着注入剂量的增加,膜的电阻逐渐变大,其Tp转变温度往低温方向变化.当剂量大于等于3.0×1016 ion/cm2时,LSMO薄膜具有了类似半导体的导电行为.X射线衍射(XRD)分析发现:特征峰的位置随着剂量的增加而往低的角度偏移,并且当剂量增加到一定程度时,出现双峰现象.最后研究了LSMO薄膜其磁阻(MR)随温度和磁场的变化关系.
利用脈遲激光沉積(PLD),製備瞭La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)薄膜.然後在120 keV的能量下,進行瞭不同劑量(1.0×1012 ion/cm2～1.0×1017 ion/cm2)的H2+離子對LSMO薄膜的註入研究.隨著註入劑量的增加,膜的電阻逐漸變大,其Tp轉變溫度往低溫方嚮變化.噹劑量大于等于3.0×1016 ion/cm2時,LSMO薄膜具有瞭類似半導體的導電行為.X射線衍射(XRD)分析髮現:特徵峰的位置隨著劑量的增加而往低的角度偏移,併且噹劑量增加到一定程度時,齣現雙峰現象.最後研究瞭LSMO薄膜其磁阻(MR)隨溫度和磁場的變化關繫.
이용맥충격광침적(PLD),제비료La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)박막.연후재120 keV적능량하,진행료불동제량(1.0×1012 ion/cm2～1.0×1017 ion/cm2)적H2+리자대LSMO박막적주입연구.수착주입제량적증가,막적전조축점변대,기Tp전변온도왕저온방향변화.당제량대우등우3.0×1016 ion/cm2시,LSMO박막구유료유사반도체적도전행위.X사선연사(XRD)분석발현:특정봉적위치수착제량적증가이왕저적각도편이,병차당제량증가도일정정도시,출현쌍봉현상.최후연구료LSMO박막기자조(MR)수온도화자장적변화관계.
