AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外探测器
AlGaN기공진강증강적p-i-n형자외탐측기
An AlGaN-Based Resonant-Cavity-Enhanced p-I-n Ultraviolet Photodetector
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 12期 1957-1960 ,共4页

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    紫外探测器%共振腔增强%AlGaN%分布布拉格反射镜%传递矩阵方法 紫外探測器%共振腔增彊%AlGaN%分佈佈拉格反射鏡%傳遞矩陣方法
    자외탐측기%공진강증강%AlGaN%분포포랍격반사경%전체구진방법
    设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7N布拉格反射镜和空气/GaN界面组成,有源区p-GaN/i-GaN/n-Al0.38Ga0.62N被置于腔内.该结构采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底和GaN模板上外延生长得到.光谱响应测试显示了正入射时该器件在波长313nm处出现响应的选择增强,零偏压下响应度为14mA/W.
    설계료목표탐측파장위320nm적AlGaN기공진강증강적p-i-n형자외광전탐측기,공진강유분별작위저경화정경적AlN/Al0.3Ga0.7N포랍격반사경화공기/GaN계면조성,유원구p-GaN/i-GaN/n-Al0.38Ga0.62N피치우강내.해결구채용금속유궤물화학기상정적(MOCVD)방법재람보석츤저화GaN모판상외연생장득도.광보향응측시현시료정입사시해기건재파장313nm처출현향응적선택증강,령편압하향응도위14mA/W.
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