半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
541-544
,共4页
贾仁需%张义门%张玉明%郭辉
賈仁需%張義門%張玉明%郭輝
가인수%장의문%장옥명%곽휘
SiC%基座%流体模型%COMSOL
SiC%基座%流體模型%COMSOL
SiC%기좌%류체모형%COMSOL
构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以使其表面气流分布均匀,有利于得到高质量的α-SiC外延片.
構建瞭熱壁CVD法生長α-SiC外延的氣體流體力學模型,併通過COMSOL模擬軟件計算對基座的幾何形狀進行設計.結果錶明基座的幾何形狀改變,影響襯底錶麵的氣流分佈;基座有一定的傾斜角度,可以使其錶麵氣流分佈均勻,有利于得到高質量的α-SiC外延片.
구건료열벽CVD법생장α-SiC외연적기체류체역학모형,병통과COMSOL모의연건계산대기좌적궤하형상진행설계.결과표명기좌적궤하형상개변,영향츤저표면적기류분포;기좌유일정적경사각도,가이사기표면기류분포균균,유리우득도고질량적α-SiC외연편.
