半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
5期
680-684
,共5页
陈青云%徐明%段满益%陈卫东%丁迎春%纪红萱%沈益斌
陳青雲%徐明%段滿益%陳衛東%丁迎春%紀紅萱%瀋益斌
진청운%서명%단만익%진위동%정영춘%기홍훤%침익빈
Si/SiO2多层膜%SiNx/SiO2多层膜%红外吸收%光致发光
Si/SiO2多層膜%SiNx/SiO2多層膜%紅外吸收%光緻髮光
Si/SiO2다층막%SiNx/SiO2다층막%홍외흡수%광치발광
采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰.用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心.建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级.
採用射頻磁控濺射法,製備瞭納米Si/SiO2和SiNx/SiO2多層膜,得到彊的可見光緻髮光,利用傅裏葉紅外吸收(FTIR)譜和光緻髮光(PL)譜,對其髮光特性進行瞭研究,在374 nm和712 nm左右觀察到彊髮光峰.用量子限製-髮光中心(QCLC)模型解釋瞭其可能的髮光機製,認為髮光可能源自于SiOx界麵處的缺陷髮光中心.建立瞭髮光的能隙態(EGS)模型,認為440 nm和485 nm的髮光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷態能級.
채용사빈자공천사법,제비료납미Si/SiO2화SiNx/SiO2다층막,득도강적가견광치발광,이용부리협홍외흡수(FTIR)보화광치발광(PL)보,대기발광특성진행료연구,재374 nm화712 nm좌우관찰도강발광봉.용양자한제-발광중심(QCLC)모형해석료기가능적발광궤제,인위발광가능원자우SiOx계면처적결함발광중심.건립료발광적능극태(EGS)모형,인위440 nm화485 nm적발광원우N-Si-O화Si-O-Si결함태능급.
