半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
208-210
,共3页
周慧英%曲胜春%刘俊朋%王占国
週慧英%麯勝春%劉俊朋%王佔國
주혜영%곡성춘%류준붕%왕점국
离子注入%铟离子%各向异性%扩散
離子註入%銦離子%各嚮異性%擴散
리자주입%인리자%각향이성%확산
离子注入技术是一种重要的制备低维量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序纳米团簇.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及快速热退火,获得了均匀有序的纳米团簇,采用原子力显微镜研究了量子点随温度变化的形貌变化特征,观察到注入吸附原子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达到680℃时,沿[110]方向的扩散要比[110]方向扩散快,而且呈现各向异性.
離子註入技術是一種重要的製備低維量子結構的方法,它能通過精確控製註入能量、劑量以及註入溫度等形成有序納米糰簇.我們利用有序的暘極氧化鋁模闆作為掩模闆在GaAs(001)襯底上進行In離子選擇性註入以及快速熱退火,穫得瞭均勻有序的納米糰簇,採用原子力顯微鏡研究瞭量子點隨溫度變化的形貌變化特徵,觀察到註入吸附原子在襯底的擴散隨溫度變化而加快,退火溫度達到680℃時,沿[110]方嚮的擴散要比[110]方嚮擴散快,而且呈現各嚮異性.
리자주입기술시일충중요적제비저유양자결구적방법,타능통과정학공제주입능량、제량이급주입온도등형성유서납미단족.아문이용유서적양겁양화려모판작위엄모판재GaAs(001)츤저상진행In리자선택성주입이급쾌속열퇴화,획득료균균유서적납미단족,채용원자력현미경연구료양자점수온도변화적형모변화특정,관찰도주입흡부원자재츤저적확산수온도변화이가쾌,퇴화온도체도680℃시,연[110]방향적확산요비[110]방향확산쾌,이차정현각향이성.
