半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
67-75
,共9页
杨丰帆%方亮%李丽%付光宗%张勇%李明伟%喻江涛
楊豐帆%方亮%李麗%付光宗%張勇%李明偉%喻江濤
양봉범%방량%리려%부광종%장용%리명위%유강도
透明导电CdIn2O4薄膜%结构%Seebeck效应%温差电动势率
透明導電CdIn2O4薄膜%結構%Seebeck效應%溫差電動勢率
투명도전CdIn2O4박막%결구%Seebeck효응%온차전동세솔
在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明:CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60～2.60nm,晶粒大小为13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.
在Ar和O2混閤氣氛中,利用直流反應磁控濺射Cd-In閤金靶製備瞭CdIn2O4(簡稱CIO)薄膜,利用AFM和XRD技術錶徵瞭薄膜的形貌和組成,用XPS分析瞭薄膜的化學成分和元素價態,併在室溫下測量瞭CIO薄膜的Seebeck效應以及加入磁場後的Seebeck效應.實驗結果錶明:CIO薄膜是多晶薄膜,其錶麵粗糙度為1.60～2.60nm,晶粒大小為13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相組成,部分樣品還含有微量的CdO相,退火處理後氧缺乏狀態和氧充足狀態的麵積比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的導電性能得到提高.CIO薄膜具有非常明顯的Seebeck效應,溫差電動勢隨溫差的增加而線性增加,溫差電動勢率隨著電阻的增加而減小;加入磁場後,薄膜的溫差電動勢率變小.文章對製備條件和結構的關繫以及Seebeck效應和加入磁場後的Seebeck效應的機理作瞭詳細探討.
재Ar화O2혼합기분중,이용직류반응자공천사Cd-In합금파제비료CdIn2O4(간칭CIO)박막,이용AFM화XRD기술표정료박막적형모화조성,용XPS분석료박막적화학성분화원소개태,병재실온하측량료CIO박막적Seebeck효응이급가입자장후적Seebeck효응.실험결과표명:CIO박막시다정박막,기표면조조도위1.60～2.60nm,정립대소위13～36nm,정계청석.타유CIO상화In2O3상조성,부분양품환함유미량적CdO상,퇴화처리후양결핍상태화양충족상태적면적비유퇴화전적0.69증가도0.71,박막적도전성능득도제고.CIO박막구유비상명현적Seebeck효응,온차전동세수온차적증가이선성증가,온차전동세솔수착전조적증가이감소;가입자장후,박막적온차전동세솔변소.문장대제비조건화결구적관계이급Seebeck효응화가입자장후적Seebeck효응적궤리작료상세탐토.
