栅压对LDMOS在异常大电流下工作的影响
책압대LDMOS재이상대전류하공작적영향
Effects of Gate Voltages on Temperature of LDMOS at High Current
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2007年 4期 478-481 ,共4页

    李梅芝%陈星弼

    리매지%진성필

    栅压%LDMOS%功率密度 柵壓%LDMOS%功率密度
    책압%LDMOS%공솔밀도
    研究 LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响.结果表明,有源区电流密度、功率密度和温度都随正栅压升高而增加,证明LDMOS在栅接地时比栅不接地时具有更好的静电放电能力.
    연구 LDMOS재일차설붕격천후적대전류구,책압대기건내부온도적영향.결과표명,유원구전류밀도、공솔밀도화온도도수정책압승고이증가,증명LDMOS재책접지시비책불접지시구유경호적정전방전능력.
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