p型氮化镓不同掺杂方法研究
p형담화가불동참잡방법연구
Investigation of different doping methods to the p-type GaN
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2007年 7期 1123-1124,1131 ,共3页

    邢艳辉%韩军%邓军%刘建平%牛南辉%李彤%沈光地

    형염휘%한군%산군%류건평%우남휘%리동%침광지

    p-氮化镓%δ掺杂%原子力显微镜%金属有机物化学气相淀积 p-氮化鎵%δ摻雜%原子力顯微鏡%金屬有機物化學氣相澱積
    p-담화가%δ참잡%원자력현미경%금속유궤물화학기상정적
    采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.
    채용금속유궤물화학기상정적(MOCVD)기술,대p형GaN:Mg적균균참잡,delta참잡화생장정돈참잡3충불동참잡방법적외연편연구,통과대전학적、광학적、표면형모분석표명,생장정돈방법적외연편유교호적정체질량,단인생장정돈과정중인입액외잡질증가자보상효응;delta참잡방법명현제고료공혈농도,강저료전조솔,제고공혈천이솔,취득교호적표면형모.
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