半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
8期
703-706
,共4页
E类功率放大器%高效率%开关功率放大器
E類功率放大器%高效率%開關功率放大器
E류공솔방대기%고효솔%개관공솔방대기
电子产品的低功耗设计已成为研究的热点,低功耗、高效率功率放大器已成为降低系统功耗的关键所在.E类功率放大器是一种开关模式的功率放大器,理论上可以达到100%的漏极效率,具有广泛的应用前景.论述了用标准CMOS工艺实现高效率E类功率放大器所面临的诸多挑战以及一些相应的解决措施,并以0.18μm CMOS工艺设计了包含驱动级的两级结构的E类功率放大器.Spectre仿真结果表明,所设计的功率放大器在+25.5 dBm的输出功率时,具有52.8%的功率附加效率.
電子產品的低功耗設計已成為研究的熱點,低功耗、高效率功率放大器已成為降低繫統功耗的關鍵所在.E類功率放大器是一種開關模式的功率放大器,理論上可以達到100%的漏極效率,具有廣汎的應用前景.論述瞭用標準CMOS工藝實現高效率E類功率放大器所麵臨的諸多挑戰以及一些相應的解決措施,併以0.18μm CMOS工藝設計瞭包含驅動級的兩級結構的E類功率放大器.Spectre倣真結果錶明,所設計的功率放大器在+25.5 dBm的輸齣功率時,具有52.8%的功率附加效率.
전자산품적저공모설계이성위연구적열점,저공모、고효솔공솔방대기이성위강저계통공모적관건소재.E류공솔방대기시일충개관모식적공솔방대기,이론상가이체도100%적루겁효솔,구유엄범적응용전경.논술료용표준CMOS공예실현고효솔E류공솔방대기소면림적제다도전이급일사상응적해결조시,병이0.18μm CMOS공예설계료포함구동급적량급결구적E류공솔방대기.Spectre방진결과표명,소설계적공솔방대기재+25.5 dBm적수출공솔시,구유52.8%적공솔부가효솔.
