厦门大学学报（自然科学版）
廈門大學學報（自然科學版）
하문대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2007年
1期
47-50
,共4页
陈小红%蔡加法%程翔%邓彩玲%陈松岩
陳小紅%蔡加法%程翔%鄧綵玲%陳鬆巖
진소홍%채가법%정상%산채령%진송암
GaN%金属-半导体-金属(MSM)结构%紫外探测器
GaN%金屬-半導體-金屬(MSM)結構%紫外探測器
GaN%금속-반도체-금속(MSM)결구%자외탐측기
用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析.结果表明,探测器在-5 V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍;探测器光响应在352 nm附近达到响应峰值,并在364 nm附近出现截止,即具备可见盲特性;器件的光响应度最好达0.21 A/W.
用金屬有機物化學汽相沉積(MOCVD)方法在藍寶石襯底上製備瞭GaN單晶薄膜,併對樣品進行X射線衍射和光緻髮光譜測量.利用GaN樣品成功地製備瞭金屬-半導體-金屬(MSM)結構GaN紫外光電探測器,併對其I-V特性、光譜響應及擊穿電壓等性能進行測試和分析.結果錶明,探測器在-5 V偏壓下的光電流與暗電流之比大于400倍;探測器光響應在352 nm附近達到響應峰值,併在364 nm附近齣現截止,即具備可見盲特性;器件的光響應度最好達0.21 A/W.
용금속유궤물화학기상침적(MOCVD)방법재람보석츤저상제비료GaN단정박막,병대양품진행X사선연사화광치발광보측량.이용GaN양품성공지제비료금속-반도체-금속(MSM)결구GaN자외광전탐측기,병대기I-V특성、광보향응급격천전압등성능진행측시화분석.결과표명,탐측기재-5 V편압하적광전류여암전류지비대우400배;탐측기광향응재352 nm부근체도향응봉치,병재364 nm부근출현절지,즉구비가견맹특성;기건적광향응도최호체0.21 A/W.
