半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
6期
414-417
,共4页
来五星%廖广兰%史铁林%杨叔子
來五星%廖廣蘭%史鐵林%楊叔子
래오성%료엄란%사철림%양숙자
微机电系统%工艺%反应离子刻蚀
微機電繫統%工藝%反應離子刻蝕
미궤전계통%공예%반응리자각식
反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3 μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险.介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的工艺措施.
反應離子刻蝕(RIE)選擇性比較低,隻能進行各嚮異性刻蝕,刻蝕特徵呎吋小于3 μm,無危險化學試劑,但有危險氣體和射頻功率等安全風險.介紹瞭反應離子刻蝕技術的基本原理,探討瞭聚酰亞胺、氮化硅、二氧化硅、鋁和多晶硅薄膜材料刻蝕的工藝處方,研究瞭RIE草地現象形成機理,給齣瞭避免草地現象的工藝措施.
반응리자각식(RIE)선택성비교저,지능진행각향이성각식,각식특정척촌소우3 μm,무위험화학시제,단유위험기체화사빈공솔등안전풍험.개소료반응리자각식기술적기본원리,탐토료취선아알、담화규、이양화규、려화다정규박막재료각식적공예처방,연구료RIE초지현상형성궤리,급출료피면초지현상적공예조시.
