Si(111)7×7表面Gd@C82分子的STM研究
Si(111)7×7표면Gd@C82분자적STM연구
Scanning Tunneling Microscopy Study of Gd @ C82 on Si( 111 ) 7 × 7 Surface
  • 万方数据
    真空科学与技术学报 진공과학여기술학보
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2006年 1期 43-47 ,共5页

    刘宇%申自勇%孙涛%侯士敏%赵兴钰%薛增泉%施祖进%顾镇南

    류우%신자용%손도%후사민%조흥옥%설증천%시조진%고진남

    Gd@C82%扫描隧道显微镜(STM)%扫描隧道谱(STS)%Si(111)7×7 Gd@C82%掃描隧道顯微鏡(STM)%掃描隧道譜(STS)%Si(111)7×7
    Gd@C82%소묘수도현미경(STM)%소묘수도보(STS)%Si(111)7×7
    用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了金属富勒烯分子Gd@C82在Si(111)7×7重构表面的吸附特性和电学特性.STM形貌像显示Gd@C82分子和Si基底之间相互作用较强,Gd@C82分子吸附在Si基底的三种特定的位置上,其中在Si(111)7×7单胞内三个顶戴原子间的吸附位最稳定.扫描隧道谱(STS)的测量显示Gd@C82分子呈现半导体特性.分子表面局域电子态密度(LDOS)在Gd附近受到Gd与碳笼间电子转移的影响,发生显著变化.
    용초고진공소묘수도현미경(UHV-STM)연구료금속부륵희분자Gd@C82재Si(111)7×7중구표면적흡부특성화전학특성.STM형모상현시Gd@C82분자화Si기저지간상호작용교강,Gd@C82분자흡부재Si기저적삼충특정적위치상,기중재Si(111)7×7단포내삼개정대원자간적흡부위최은정.소묘수도보(STS)적측량현시Gd@C82분자정현반도체특성.분자표면국역전자태밀도(LDOS)재Gd부근수도Gd여탄롱간전자전이적영향,발생현저변화.
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