微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
1期
80-83
,共4页
陈晓飞%邹雪城%刘三清%张宾
陳曉飛%鄒雪城%劉三清%張賓
진효비%추설성%류삼청%장빈
LDO%稳压电路%BiCMOS%高压工艺%温度系数%线性调整率%负载调整率
LDO%穩壓電路%BiCMOS%高壓工藝%溫度繫數%線性調整率%負載調整率
LDO%은압전로%BiCMOS%고압공예%온도계수%선성조정솔%부재조정솔
设计了一种改进结构的用于锂离子和锂聚合物电池充电管理芯片的高精度、宽电源电压范围LDO线性稳压电路,电路采用0.8 μm N阱BiCMOS高压工艺制作.Hspice仿真结果表明,在温度从-20 ℃到100 ℃变化时,其温度系数约为±28 ppm/℃;电源电压从4.5 V到25 V变化时,最坏情况下其线性调整率为0.038 mV/V;负载电流从0到满载2 mA变化时,其负载调整率仅为1.28 mV/mA.
設計瞭一種改進結構的用于鋰離子和鋰聚閤物電池充電管理芯片的高精度、寬電源電壓範圍LDO線性穩壓電路,電路採用0.8 μm N阱BiCMOS高壓工藝製作.Hspice倣真結果錶明,在溫度從-20 ℃到100 ℃變化時,其溫度繫數約為±28 ppm/℃;電源電壓從4.5 V到25 V變化時,最壞情況下其線性調整率為0.038 mV/V;負載電流從0到滿載2 mA變化時,其負載調整率僅為1.28 mV/mA.
설계료일충개진결구적용우리리자화리취합물전지충전관리심편적고정도、관전원전압범위LDO선성은압전로,전로채용0.8 μm N정BiCMOS고압공예제작.Hspice방진결과표명,재온도종-20 ℃도100 ℃변화시,기온도계수약위±28 ppm/℃;전원전압종4.5 V도25 V변화시,최배정황하기선성조정솔위0.038 mV/V;부재전류종0도만재2 mA변화시,기부재조정솔부위1.28 mV/mA.
