物理学报
物理學報
물이학보
2005年
9期
4345-4349
,共5页
韩鹏%金奎娟%周岳亮%周庆莉%王旭%赵嵩卿%马中水
韓鵬%金奎娟%週嶽亮%週慶莉%王旭%趙嵩卿%馬中水
한붕%금규연%주악량%주경리%왕욱%조숭경%마중수
半导体异质结%光辐射%制冷
半導體異質結%光輻射%製冷
반도체이질결%광복사%제랭
采用数值计算方法分析了GaAs/Ga1-xAlxAs 半导体量子阱的光辐射-热离子制冷. 以漂移-扩散模型为基础,通过电流连续性方程和泊松方程自洽地计算出在外加正向偏压的条件下半导体内部的载流子分布情况,并在此基础上计算了阱内载流子的发光复合和俄歇复合,从而确定了半导体异质结量子阱光辐射-热离子制冷的最优条件.进一步分析了不同Al组分的Ga1-xAlxAs材料以及不同的掺杂浓度对制冷效果的影响,为该领域的实验工作提供了极有价值的参考.
採用數值計算方法分析瞭GaAs/Ga1-xAlxAs 半導體量子阱的光輻射-熱離子製冷. 以漂移-擴散模型為基礎,通過電流連續性方程和泊鬆方程自洽地計算齣在外加正嚮偏壓的條件下半導體內部的載流子分佈情況,併在此基礎上計算瞭阱內載流子的髮光複閤和俄歇複閤,從而確定瞭半導體異質結量子阱光輻射-熱離子製冷的最優條件.進一步分析瞭不同Al組分的Ga1-xAlxAs材料以及不同的摻雜濃度對製冷效果的影響,為該領域的實驗工作提供瞭極有價值的參攷.
채용수치계산방법분석료GaAs/Ga1-xAlxAs 반도체양자정적광복사-열리자제랭. 이표이-확산모형위기출,통과전류련속성방정화박송방정자흡지계산출재외가정향편압적조건하반도체내부적재류자분포정황,병재차기출상계산료정내재류자적발광복합화아헐복합,종이학정료반도체이질결양자정광복사-열리자제랭적최우조건.진일보분석료불동Al조분적Ga1-xAlxAs재료이급불동적참잡농도대제랭효과적영향,위해영역적실험공작제공료겁유개치적삼고.
