光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2005年
9期
1040-1044
,共5页
张晓松%李岚%陶怡%徐征%邹开顺
張曉鬆%李嵐%陶怡%徐徵%鄒開順
장효송%리람%도이%서정%추개순
ZnS:Zn,PB薄膜%电子束蒸发%场发射显示器(FED)%退火处理
ZnS:Zn,PB薄膜%電子束蒸髮%場髮射顯示器(FED)%退火處理
ZnS:Zn,PB박막%전자속증발%장발사현시기(FED)%퇴화처리
用电子束蒸发的方法制备了ZnS:Zn,PB荧光薄膜,分别经400 ℃、600 ℃退火处理.采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等,表征了ZnS:Zn,PB荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能.实验表明,随着退火温度的升高,薄膜的结构程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能.因此,退火处理是提高ZnS:Zn,PB荧光薄膜发光性能的有效方法之一.
用電子束蒸髮的方法製備瞭ZnS:Zn,PB熒光薄膜,分彆經400 ℃、600 ℃退火處理.採用X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、掃描電子顯微鏡(SEM)、光緻髮光(PL)譜等,錶徵瞭ZnS:Zn,PB熒光薄膜的結構、成分、形貌和髮光性能.實驗錶明,隨著退火溫度的升高,薄膜的結構程度提高,瀰補瞭薄膜晶體錶麵的錶麵缺陷,提高瞭薄膜的髮光性能.因此,退火處理是提高ZnS:Zn,PB熒光薄膜髮光性能的有效方法之一.
용전자속증발적방법제비료ZnS:Zn,PB형광박막,분별경400 ℃、600 ℃퇴화처리.채용X사선연사(XRD)、X사선광전자능보(XPS)、소묘전자현미경(SEM)、광치발광(PL)보등,표정료ZnS:Zn,PB형광박막적결구、성분、형모화발광성능.실험표명,수착퇴화온도적승고,박막적결구정도제고,미보료박막정체표면적표면결함,제고료박막적발광성능.인차,퇴화처리시제고ZnS:Zn,PB형광박막발광성능적유효방법지일.
