Si基底上TiN膜不同参数(分压,膜厚,束流强度)下的PAT缺陷分析
Si기저상TiN막불동삼수(분압,막후,속류강도)하적PAT결함분석
Analyzing of defectiveness for the TiN thin film of different parameters on Si substrate by using PAT (positron annihilation technique) technique
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2004年 z1期 2138-2140 ,共3页

    冯宏剑%赵杰

    풍굉검%조걸

    IBAD%PAT%缺陷 IBAD%PAT%缺陷
    IBAD%PAT%결함
    用IBAD(ion beam assisted deposition)方法镀TiN膜不但有很好的膜基结合力,而且纳米硬度、耐腐、耐磨性能可通过高低能结合的方法来提高.本文作者用PAT(positron annihilation technique)技术分析了在同一高低能条件下不同参数对Si基底的缺陷的影响,解释并论证了改进实验的方法.
    용IBAD(ion beam assisted deposition)방법도TiN막불단유흔호적막기결합력,이차납미경도、내부、내마성능가통과고저능결합적방법래제고.본문작자용PAT(positron annihilation technique)기술분석료재동일고저능조건하불동삼수대Si기저적결함적영향,해석병론증료개진실험적방법.
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