固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2004年
1期
15-19
,共5页
赫晓龙%姚素英%赵毅强%王培林%Ganming Qin%王传政
赫曉龍%姚素英%趙毅彊%王培林%Ganming Qin%王傳政
혁효룡%요소영%조의강%왕배림%Ganming Qin%왕전정
场板%碰撞电离%击穿电压
場闆%踫撞電離%擊穿電壓
장판%팽당전리%격천전압
研究了场板终端技术对改善MOSFET栅下电场分布和碰撞电离率的作用,结果表明,MOSFET在高压应用时,漏极靠近表面的PN结处电场最强,决定器件的击穿特性.通过对实验研究与计算机模拟结果的分析,表明在不同的栅压下,此处场板长度的大小对栅下电场强度有直接的影响,合理地控制场板长度能有效地提高器件的击穿电压.
研究瞭場闆終耑技術對改善MOSFET柵下電場分佈和踫撞電離率的作用,結果錶明,MOSFET在高壓應用時,漏極靠近錶麵的PN結處電場最彊,決定器件的擊穿特性.通過對實驗研究與計算機模擬結果的分析,錶明在不同的柵壓下,此處場闆長度的大小對柵下電場彊度有直接的影響,閤理地控製場闆長度能有效地提高器件的擊穿電壓.
연구료장판종단기술대개선MOSFET책하전장분포화팽당전리솔적작용,결과표명,MOSFET재고압응용시,루겁고근표면적PN결처전장최강,결정기건적격천특성.통과대실험연구여계산궤모의결과적분석,표명재불동적책압하,차처장판장도적대소대책하전장강도유직접적영향,합리지공제장판장도능유효지제고기건적격천전압.
