发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2001年
2期
135-138
,共4页
刘翠红%郭康贤%陈传誉%马本
劉翠紅%郭康賢%陳傳譽%馬本
류취홍%곽강현%진전예%마본
三阶非线性光学极化率%量子盘%密度矩阵算符
三階非線性光學極化率%量子盤%密度矩陣算符
삼계비선성광학겁화솔%양자반%밀도구진산부
利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率，导出了近共振条件下的三次谐波的解析表达式，并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明，GaAs量子盘中的三阶非线性光学极化率要比GaAs量子阱的大几十倍。而且，选取适当的参量，可在吸收系数相对较小的情况下获得较大的折射率。
利用密度矩陣方法討論瞭量子盤中的三階非線性光學極化率，導齣瞭近共振條件下的三次諧波的解析錶達式，併以GaAs量子盤為例進行瞭具體的計算。結果錶明，GaAs量子盤中的三階非線性光學極化率要比GaAs量子阱的大幾十倍。而且，選取適噹的參量，可在吸收繫數相對較小的情況下穫得較大的摺射率。
이용밀도구진방법토론료양자반중적삼계비선성광학겁화솔，도출료근공진조건하적삼차해파적해석표체식，병이GaAs양자반위례진행료구체적계산。결과표명，GaAs양자반중적삼계비선성광학겁화솔요비GaAs양자정적대궤십배。이차，선취괄당적삼량，가재흡수계수상대교소적정황하획득교대적절사솔。
