高技术通讯
高技術通訊
고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2000年
5期
43-45
,共3页
陆大成%刘祥林%韩培德%王晓晖%汪度%袁海荣
陸大成%劉祥林%韓培德%王曉暉%汪度%袁海榮
륙대성%류상림%한배덕%왕효휘%왕도%원해영
GaN%双异质结%蓝光LED%绿光LED
GaN%雙異質結%藍光LED%綠光LED
GaN%쌍이질결%람광LED%록광LED
报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构,并研制成功发射波长分别为 430～450 nm和520～540nm的蓝光和绿光LED.据查,这是国内首次有关六方GaN基绿光LED的报道.
報道瞭用LP-MOVPE技術在藍寶石(α-Al2O3)襯底上生長齣以雙摻Zn和Si的InGaN為有源區的藍光和綠光InGaN/AlGaN雙異質結結構,併研製成功髮射波長分彆為 430～450 nm和520～540nm的藍光和綠光LED.據查,這是國內首次有關六方GaN基綠光LED的報道.
보도료용LP-MOVPE기술재람보석(α-Al2O3)츤저상생장출이쌍참Zn화Si적InGaN위유원구적람광화록광InGaN/AlGaN쌍이질결결구,병연제성공발사파장분별위 430～450 nm화520～540nm적람광화록광LED.거사,저시국내수차유관륙방GaN기록광LED적보도.
