半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2000年
6期
435-438
,共4页
光电探测器%注入光敏器件%模拟
光電探測器%註入光敏器件%模擬
광전탐측기%주입광민기건%모의
photodetectors%injection photodetectors%simulation
通过数值求解双极半导体器件的基本方程，研究了载流子在注入光敏器件内部的运动，得到了器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件的工作原理。
通過數值求解雙極半導體器件的基本方程，研究瞭載流子在註入光敏器件內部的運動，得到瞭器件內部載流子的運動圖像。在此基礎上闡明瞭該種器件的工作原理。
통과수치구해쌍겁반도체기건적기본방정，연구료재류자재주입광민기건내부적운동，득도료기건내부재류자적운동도상。재차기출상천명료해충기건적공작원리。
The transportation of the carriers inside the injection photodetector is studied by solution of the basic equations of the bipolar electric devices. Numerical method is used. The operation principle of the device is explained based on the results of simulation.
