半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
10期
1010-1013
,共4页
孙伟%田小建%孙建国%衣茂斌%张慕义%张玉清%马振昌
孫偉%田小建%孫建國%衣茂斌%張慕義%張玉清%馬振昌
손위%전소건%손건국%의무빈%장모의%장옥청%마진창
电光采样%在片测量%单片集成电路%增益开关激光器%微波探针
電光採樣%在片測量%單片集成電路%增益開關激光器%微波探針
전광채양%재편측량%단편집성전로%증익개관격광기%미파탐침
用多触头微波探针，对GaAs单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选，测得芯片频率响应带宽为3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源，采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪.检测了GaAs单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形.
用多觸頭微波探針，對GaAs單片集成激光器驅動電路芯片進行瞭在片測試和篩選，測得芯片頻率響應帶寬為3.8GHz.使用高速增益開關半導體激光器作為採樣光脈遲源，採用瞭揹麵直接採樣方式建立瞭電光採樣測試儀.檢測瞭GaAs單片集成激光器驅動電路芯片內部點的高速電信號波形.
용다촉두미파탐침，대GaAs단편집성격광기구동전로심편진행료재편측시화사선，측득심편빈솔향응대관위3.8GHz.사용고속증익개관반도체격광기작위채양광맥충원，채용료배면직접채양방식건립료전광채양측시의.검측료GaAs단편집성격광기구동전로심편내부점적고속전신호파형.
