中国科学技术大学学报
中國科學技術大學學報
중국과학기술대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2000年
3期
374-378
,共5页
朱俊发%徐法强%孙玉明%徐彭寿%张新夷%庄叔贤
硃俊髮%徐法彊%孫玉明%徐彭壽%張新夷%莊叔賢
주준발%서법강%손옥명%서팽수%장신이%장숙현
Gd%Ni(110)%同步辐射光电发射谱%XPS%氧化
Gd%Ni(110)%同步輻射光電髮射譜%XPS%氧化
Gd%Ni(110)%동보복사광전발사보%XPS%양화
用同步辐射光电发射谱(SRPES)和XPS研究了室温下Gd膜在Ni(110)上的生长和Gd-Ni界面的电子结构以及它们的氧化现象.发现Gd膜在高覆盖度时Gd 4f为双峰结构,高温退火使4f双峰退为单峰.氧在3.7 nm的Gd膜上的吸附引起Gd 4f双峰中高结合能峰的衰减,在0 L～50 L的氧暴露量范围内,只存在单一的晶格氧物种.在轻微氧化的Gd-Ni复合薄膜上,氧吸附引起Gd向表面的偏析和进一步氧化,并存在化学吸附氧(O-)和晶格氧两种氧物种.本文对Gd 4f双峰的起源,Gd氧化机理以及氧物种的本质进行了讨论.
用同步輻射光電髮射譜(SRPES)和XPS研究瞭室溫下Gd膜在Ni(110)上的生長和Gd-Ni界麵的電子結構以及它們的氧化現象.髮現Gd膜在高覆蓋度時Gd 4f為雙峰結構,高溫退火使4f雙峰退為單峰.氧在3.7 nm的Gd膜上的吸附引起Gd 4f雙峰中高結閤能峰的衰減,在0 L～50 L的氧暴露量範圍內,隻存在單一的晶格氧物種.在輕微氧化的Gd-Ni複閤薄膜上,氧吸附引起Gd嚮錶麵的偏析和進一步氧化,併存在化學吸附氧(O-)和晶格氧兩種氧物種.本文對Gd 4f雙峰的起源,Gd氧化機理以及氧物種的本質進行瞭討論.
용동보복사광전발사보(SRPES)화XPS연구료실온하Gd막재Ni(110)상적생장화Gd-Ni계면적전자결구이급타문적양화현상.발현Gd막재고복개도시Gd 4f위쌍봉결구,고온퇴화사4f쌍봉퇴위단봉.양재3.7 nm적Gd막상적흡부인기Gd 4f쌍봉중고결합능봉적쇠감,재0 L～50 L적양폭로량범위내,지존재단일적정격양물충.재경미양화적Gd-Ni복합박막상,양흡부인기Gd향표면적편석화진일보양화,병존재화학흡부양(O-)화정격양량충양물충.본문대Gd 4f쌍봉적기원,Gd양화궤리이급양물충적본질진행료토론.
