半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
2期
174-178
,共5页
贺朝会%李国政%罗晋生%刘恩科
賀朝會%李國政%囉晉生%劉恩科
하조회%리국정%라진생%류은과
CMOSSRAM%单粒子翻转%临界电荷%恢复时间%反馈时间
CMOSSRAM%單粒子翻轉%臨界電荷%恢複時間%反饋時間
CMOSSRAM%단입자번전%림계전하%회복시간%반궤시간
分析了影响CMOS SRAM单粒子翻转效应的时间因素，指出不能仅根据临界电荷来判断发生单粒子翻转效应与否，必须考虑器件的恢复时间、反馈时间和电荷收集过程.给出了恢复时间和反馈时间的计算方法，提出了器件抗单粒子翻转的加固措施.对电荷收集过程中截止管漏极电位的变化进行了分析，提出了临界电荷新定义，并给出了判断带电粒子入射能否导致器件发生单粒子翻转效应的方法.
分析瞭影響CMOS SRAM單粒子翻轉效應的時間因素，指齣不能僅根據臨界電荷來判斷髮生單粒子翻轉效應與否，必鬚攷慮器件的恢複時間、反饋時間和電荷收集過程.給齣瞭恢複時間和反饋時間的計算方法，提齣瞭器件抗單粒子翻轉的加固措施.對電荷收集過程中截止管漏極電位的變化進行瞭分析，提齣瞭臨界電荷新定義，併給齣瞭判斷帶電粒子入射能否導緻器件髮生單粒子翻轉效應的方法.
분석료영향CMOS SRAM단입자번전효응적시간인소，지출불능부근거림계전하래판단발생단입자번전효응여부，필수고필기건적회복시간、반궤시간화전하수집과정.급출료회복시간화반궤시간적계산방법，제출료기건항단입자번전적가고조시.대전하수집과정중절지관루겁전위적변화진행료분석，제출료림계전하신정의，병급출료판단대전입자입사능부도치기건발생단입자번전효응적방법.
