高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
1998年
10期
1632-1635
,共4页
潘锦红%黄忠平%蔡国强%俞庆森%宗汉兴
潘錦紅%黃忠平%蔡國彊%俞慶森%宗漢興
반금홍%황충평%채국강%유경삼%종한흥
苝四羧酸二酰亚胺%光敏性%分子激发跃迁能%空穴注入效率
苝四羧痠二酰亞胺%光敏性%分子激髮躍遷能%空穴註入效率
패사최산이선아알%광민성%분자격발약천능%공혈주입효솔
用AM1和CNDO方法优化得PTCAs可能存在的稳定结构.对比晶体结构发现化合物3-5晶体中以成键能较高的共面结构存在,该结构有利于形成分子的紧密堆积.最小二乘法拟合结果表明单取代化合物的光敏性与分子激发跃迁能(△EL-H)存在定量构效关系(QSPR),r＞0.95;双取代化合物的光敏性与从CGL到CTL的空穴注入效率(△ET-G)存在QSPR,r＞0.97.表明光电转换两个过程在不同类型PTCAs的光敏性产生过程中占据的作用不同:分子激发难易是影响单取代化合物光敏性的主要因素;而空穴注入效率是影响双取代化合物光敏性的主要因素.
用AM1和CNDO方法優化得PTCAs可能存在的穩定結構.對比晶體結構髮現化閤物3-5晶體中以成鍵能較高的共麵結構存在,該結構有利于形成分子的緊密堆積.最小二乘法擬閤結果錶明單取代化閤物的光敏性與分子激髮躍遷能(△EL-H)存在定量構效關繫(QSPR),r＞0.95;雙取代化閤物的光敏性與從CGL到CTL的空穴註入效率(△ET-G)存在QSPR,r＞0.97.錶明光電轉換兩箇過程在不同類型PTCAs的光敏性產生過程中佔據的作用不同:分子激髮難易是影響單取代化閤物光敏性的主要因素;而空穴註入效率是影響雙取代化閤物光敏性的主要因素.
용AM1화CNDO방법우화득PTCAs가능존재적은정결구.대비정체결구발현화합물3-5정체중이성건능교고적공면결구존재,해결구유리우형성분자적긴밀퇴적.최소이승법의합결과표명단취대화합물적광민성여분자격발약천능(△EL-H)존재정량구효관계(QSPR),r＞0.95;쌍취대화합물적광민성여종CGL도CTL적공혈주입효솔(△ET-G)존재QSPR,r＞0.97.표명광전전환량개과정재불동류형PTCAs적광민성산생과정중점거적작용불동:분자격발난역시영향단취대화합물광민성적주요인소;이공혈주입효솔시영향쌍취대화합물광민성적주요인소.
