低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
1999年
1期
64-69
,共6页
林媛%许波%赵柏儒%陈金松
林媛%許波%趙柏儒%陳金鬆
림원%허파%조백유%진금송
利用超薄的SiO2做缓冲层,用脉冲激光沉积法在Si(100)上制备了具有良好铁电性的高度(100)取向的PZT薄膜.通过对不同条件下在SiO2/Si(100)上生长的PZT薄膜的研究,分析了SiO2厚度、沉积温度、退火时间对PZT性能的影响.
利用超薄的SiO2做緩遲層,用脈遲激光沉積法在Si(100)上製備瞭具有良好鐵電性的高度(100)取嚮的PZT薄膜.通過對不同條件下在SiO2/Si(100)上生長的PZT薄膜的研究,分析瞭SiO2厚度、沉積溫度、退火時間對PZT性能的影響.
이용초박적SiO2주완충층,용맥충격광침적법재Si(100)상제비료구유량호철전성적고도(100)취향적PZT박막.통과대불동조건하재SiO2/Si(100)상생장적PZT박막적연구,분석료SiO2후도、침적온도、퇴화시간대PZT성능적영향.
