半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
2期
148-152
,共5页
周大勇%澜清%孔云川%苗振华%封松林%牛智川
週大勇%瀾清%孔雲川%苗振華%封鬆林%牛智川
주대용%란청%공운천%묘진화%봉송림%우지천
分子束外延%原子力显微镜%台阶积累%量子点
分子束外延%原子力顯微鏡%檯階積纍%量子點
분자속외연%원자력현미경%태계적루%양자점
研究了分子束外延中引入原子氢后,原子氢对外延层表面形貌特征形成的诱导作用.原子力显微镜(AFM)测试表明,在(311)A GaAs表面,原子氢导致了台阶状形貌的形成,在这种台阶状表面进一步生长了InAs量子点,测试结果表明其位置分布的有序化受到台阶高度和台阶周期的制约.这为实现量子点结构的有序化控制生长提供了一定的实验参考.
研究瞭分子束外延中引入原子氫後,原子氫對外延層錶麵形貌特徵形成的誘導作用.原子力顯微鏡(AFM)測試錶明,在(311)A GaAs錶麵,原子氫導緻瞭檯階狀形貌的形成,在這種檯階狀錶麵進一步生長瞭InAs量子點,測試結果錶明其位置分佈的有序化受到檯階高度和檯階週期的製約.這為實現量子點結構的有序化控製生長提供瞭一定的實驗參攷.
연구료분자속외연중인입원자경후,원자경대외연층표면형모특정형성적유도작용.원자력현미경(AFM)측시표명,재(311)A GaAs표면,원자경도치료태계상형모적형성,재저충태계상표면진일보생장료InAs양자점,측시결과표명기위치분포적유서화수도태계고도화태계주기적제약.저위실현양자점결구적유서화공제생장제공료일정적실험삼고.
