发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2003年
1期
66-68
,共3页
刘渝珍%石万全%赵玲莉%孙宝银%叶甜春
劉渝珍%石萬全%趙玲莉%孫寶銀%葉甜春
류투진%석만전%조령리%손보은%협첨춘
LPCVD%氮化硅薄膜%快速退火(RTA)
LPCVD%氮化硅薄膜%快速退火(RTA)
LPCVD%담화규박막%쾌속퇴화(RTA)
在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.经900～1 100℃在N2气氛下快速退火(RTA)处理后,样品的六个PL峰变为3.1, 3.0, 2.85, 2.6, 2.36, 2.2eV.本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨.
在5.0eV的激光激髮下,在室溫下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可髮射六箇PL峰,其峰位分彆為2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.經900～1 100℃在N2氣氛下快速退火(RTA)處理後,樣品的六箇PL峰變為3.1, 3.0, 2.85, 2.6, 2.36, 2.2eV.本文對退火前後PL峰的產生和變化機製進行瞭初步探討.
재5.0eV적격광격발하,재실온하부규적LPCVD담화규박막가발사륙개PL봉,기봉위분별위2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.경900～1 100℃재N2기분하쾌속퇴화(RTA)처리후,양품적륙개PL봉변위3.1, 3.0, 2.85, 2.6, 2.36, 2.2eV.본문대퇴화전후PL봉적산생화변화궤제진행료초보탐토.
