固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
4期
375-380
,共6页
康俊勇%蔡端俊%肖细凤%沈耀文%沈波
康俊勇%蔡耑俊%肖細鳳%瀋耀文%瀋波
강준용%채단준%초세봉%침요문%침파
杂质%纳米管%沉积物%位错%Ⅲ族氮化物%外延层%异质结
雜質%納米管%沉積物%位錯%Ⅲ族氮化物%外延層%異質結
잡질%납미관%침적물%위착%Ⅲ족담화물%외연층%이질결
采用光荧光和阴极荧光方法,对GaN外延层中的黄色和蓝色发光进行测量分析;同时,采用原子力显微镜、扫描电镜及其能谱测量外延层中的缺陷.结果表明,黄色和蓝色发光与残留杂质有关.采用第一原理计算结果显示,残留C、O杂质、本征缺陷等是黄色和蓝色的可能物理起源.采用原子力显微镜、扫描电镜、透射电镜及其能谱对GaN/AlGaN异质结中的纳米管进行观测,了解了纳米管的形貌.结果表明,构成纳米管的小面可能是外延过程中表面吸附引起的;计算结果显示,纳米管形貌变化与GaN/AlGaN界面处晶格失配应力有关.采用透射电镜观察外延层中沉积物及其周围位错的结构表明,沉积物附近应力的存在是位错产生的主要原因.
採用光熒光和陰極熒光方法,對GaN外延層中的黃色和藍色髮光進行測量分析;同時,採用原子力顯微鏡、掃描電鏡及其能譜測量外延層中的缺陷.結果錶明,黃色和藍色髮光與殘留雜質有關.採用第一原理計算結果顯示,殘留C、O雜質、本徵缺陷等是黃色和藍色的可能物理起源.採用原子力顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡及其能譜對GaN/AlGaN異質結中的納米管進行觀測,瞭解瞭納米管的形貌.結果錶明,構成納米管的小麵可能是外延過程中錶麵吸附引起的;計算結果顯示,納米管形貌變化與GaN/AlGaN界麵處晶格失配應力有關.採用透射電鏡觀察外延層中沉積物及其週圍位錯的結構錶明,沉積物附近應力的存在是位錯產生的主要原因.
채용광형광화음겁형광방법,대GaN외연층중적황색화람색발광진행측량분석;동시,채용원자력현미경、소묘전경급기능보측량외연층중적결함.결과표명,황색화람색발광여잔류잡질유관.채용제일원리계산결과현시,잔류C、O잡질、본정결함등시황색화람색적가능물리기원.채용원자력현미경、소묘전경、투사전경급기능보대GaN/AlGaN이질결중적납미관진행관측,료해료납미관적형모.결과표명,구성납미관적소면가능시외연과정중표면흡부인기적;계산결과현시,납미관형모변화여GaN/AlGaN계면처정격실배응력유관.채용투사전경관찰외연층중침적물급기주위위착적결구표명,침적물부근응력적존재시위착산생적주요원인.