真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2002年
3期
239-241
,共3页
孙加兴%叶甜春%谢常青%申云琴%刘刚
孫加興%葉甜春%謝常青%申雲琴%劉剛
손가흥%협첨춘%사상청%신운금%류강
X射线%赝质结高电子迁移率晶体管%T形栅%多介质工艺
X射線%贗質結高電子遷移率晶體管%T形柵%多介質工藝
X사선%안질결고전자천이솔정체관%T형책%다개질공예
半导体器件日益向高频、高速方向发展,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的.采用X射线多介质工艺制作T形栅,其形貌清晰,线条基本可控,为MMIC制作提供了可靠的工艺.
半導體器件日益嚮高頻、高速方嚮髮展,贗質結高電子遷移率晶體管以其高頻、高速、低譟聲受到人們重視而髮展迅速.在PHEMT的製作工藝中,柵線條的製作是至關重要而又極為睏難的.採用X射線多介質工藝製作T形柵,其形貌清晰,線條基本可控,為MMIC製作提供瞭可靠的工藝.
반도체기건일익향고빈、고속방향발전,안질결고전자천이솔정체관이기고빈、고속、저조성수도인문중시이발전신속.재PHEMT적제작공예중,책선조적제작시지관중요이우겁위곤난적.채용X사선다개질공예제작T형책,기형모청석,선조기본가공,위MMIC제작제공료가고적공예.
