用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制
용우수궤신화가MMIC사빈개관적연제
The Research on GaAs MMIC RF Switch for Handset
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2002年 3期 326-328 ,共3页

    蒋幼泉%陈继义%李拂晓%高建峰%徐中仓%邵凯%陈效建%杨乃彬

    장유천%진계의%리불효%고건봉%서중창%소개%진효건%양내빈

    砷化镓单片集成电路%双刀双掷开关%多栅场效应晶体管 砷化鎵單片集成電路%雙刀雙擲開關%多柵場效應晶體管
    신화가단편집성전로%쌍도쌍척개관%다책장효응정체관
    报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓MMIC射频开关.该产品在870～970 MHz下,线性功率容量＞33 dBm,插入损耗(IL)＜0.6 dB,隔离度(Iso)≥17 dB,反向三阶交调(PT01)≥70 dBm,控制电压:(0,-4) V.
    보도일충용우수궤적고공솔、저삽손신화가MMIC사빈개관.해산품재870～970 MHz하,선성공솔용량＞33 dBm,삽입손모(IL)＜0.6 dB,격리도(Iso)≥17 dB,반향삼계교조(PT01)≥70 dBm,공제전압:(0,-4) V.
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