北京科技大学学报
北京科技大學學報
북경과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY BEIJING
2002年
2期
165-168
,共4页
李长荣%卢琳%王福明%张维敬
李長榮%盧琳%王福明%張維敬
리장영%로림%왕복명%장유경
热力学分析%V族气源%热分解%GaN%(Ga1-xInx)P%MOVPE
熱力學分析%V族氣源%熱分解%GaN%(Ga1-xInx)P%MOVPE
열역학분석%V족기원%열분해%GaN%(Ga1-xInx)P%MOVPE
以GaN和(GaIn)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH3和PH3热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响.根据外延生长过程中NH3和PH3实际分解状况,建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型,进而应用Thermo-calc软件计算出与之对应的成分空间.计算结果与实验数据的对比表明:GaN和(GaIn)P半导体的MOVPE过程的热力学分析必须根据V族气源物质NH3和PH3的实际热分解状况,进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测,完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程.
以GaN和(GaIn)P半導體的金屬有機物氣相外延生長(MOVPE)為例分析瞭V族氣源物質NH3和PH3熱分解對半導體化閤物外延生長成分空間的影響.根據外延生長過程中NH3和PH3實際分解狀況,建立瞭氣源物質不同分解狀態下的熱力學模型,進而應用Thermo-calc軟件計算齣與之對應的成分空間.計算結果與實驗數據的對比錶明:GaN和(GaIn)P半導體的MOVPE過程的熱力學分析必鬚根據V族氣源物質NH3和PH3的實際熱分解狀況,進行完全平衡或限定平衡條件下的計算和預測,完全的熱力學平衡分析僅適用于特定的溫度區段或經特殊氣源預處理的工藝過程.
이GaN화(GaIn)P반도체적금속유궤물기상외연생장(MOVPE)위례분석료V족기원물질NH3화PH3열분해대반도체화합물외연생장성분공간적영향.근거외연생장과정중NH3화PH3실제분해상황,건립료기원물질불동분해상태하적열역학모형,진이응용Thermo-calc연건계산출여지대응적성분공간.계산결과여실험수거적대비표명:GaN화(GaIn)P반도체적MOVPE과정적열역학분석필수근거V족기원물질NH3화PH3적실제열분해상황,진행완전평형혹한정평형조건하적계산화예측,완전적열역학평형분석부괄용우특정적온도구단혹경특수기원예처리적공예과정.
