固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
1期
25-28
,共4页
BRAQWET%化合物半导体%光调制器%电光调制
BRAQWET%化閤物半導體%光調製器%電光調製
BRAQWET%화합물반도체%광조제기%전광조제
对n型源区、p型势垒区和具有δ(p+)薄层势垒区的两种结构BRAQWET的能带模型,作了严格的定量分析,由此可以导出设计良好器件的优化参量.这是设计BRAQWET的理论基础.
對n型源區、p型勢壘區和具有δ(p+)薄層勢壘區的兩種結構BRAQWET的能帶模型,作瞭嚴格的定量分析,由此可以導齣設計良好器件的優化參量.這是設計BRAQWET的理論基礎.
대n형원구、p형세루구화구유δ(p+)박층세루구적량충결구BRAQWET적능대모형,작료엄격적정량분석,유차가이도출설계량호기건적우화삼량.저시설계BRAQWET적이론기출.
