半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
6期
779-783
,共5页
何宝平%姚育娟%彭宏论%张正选
何寶平%姚育娟%彭宏論%張正選
하보평%요육연%팽굉론%장정선
温度%剂量率%总剂量%退火
溫度%劑量率%總劑量%退火
온도%제량솔%총제량%퇴화
研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对CC4007NMOS器件阈值电压的影响.研究发现,低温(-30℃)辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温(25℃)多,界面态电荷比室温要少;受不同γ剂量率辐射时,阈值电压的漂移程度不一样,在总剂量相同情况下,辐射剂量率高时,阈值电压的漂移量也大;辐照后,NMOS器件100℃退火速度要大于25℃退火速度,+5V栅偏压退火情况要大于浮空偏置情况.并对以上现象进行了分析和解释.
研究瞭輻射環境溫度、輻射劑量率、退火溫度和退火偏置對CC4007NMOS器件閾值電壓的影響.研究髮現,低溫(-30℃)輻照感生的氧化物陷阱電荷比室溫(25℃)多,界麵態電荷比室溫要少;受不同γ劑量率輻射時,閾值電壓的漂移程度不一樣,在總劑量相同情況下,輻射劑量率高時,閾值電壓的漂移量也大;輻照後,NMOS器件100℃退火速度要大于25℃退火速度,+5V柵偏壓退火情況要大于浮空偏置情況.併對以上現象進行瞭分析和解釋.
연구료복사배경온도、복사제량솔、퇴화온도화퇴화편치대CC4007NMOS기건역치전압적영향.연구발현,저온(-30℃)복조감생적양화물함정전하비실온(25℃)다,계면태전하비실온요소;수불동γ제량솔복사시,역치전압적표이정도불일양,재총제량상동정황하,복사제량솔고시,역치전압적표이량야대;복조후,NMOS기건100℃퇴화속도요대우25℃퇴화속도,+5V책편압퇴화정황요대우부공편치정황.병대이상현상진행료분석화해석.
