半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
10期
1277-1283
,共7页
王玉霞%曹颖%何海平%汤洪高%王连卫%黄继颇%林成鲁
王玉霞%曹穎%何海平%湯洪高%王連衛%黃繼頗%林成魯
왕옥하%조영%하해평%탕홍고%왕련위%황계파%림성로
激光淀积%SiC薄膜%晶化
激光澱積%SiC薄膜%晶化
격광정적%SiC박막%정화
用脉冲ArF准分子激光熔蚀SiC陶瓷靶,在800C Si(100)衬底上淀积SiC薄膜,经不同温度真空(10-3Pa)退火后,用FTIR、XRD、TEM、XPS、PL谱等分析方法,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究.结果表明,在Si(100)上800C淀积的样品为非晶SiC薄膜.经850-1050C不同温度真空退火后,SiC薄膜经非晶核化-长大过程,在980C完成最佳晶化.随退火温度的变化,薄膜中可能存在3C-SiC与6H-SiC的竞争生长或/和3C-SiC相的长、消(最佳温度退火样品中6H-SiC和3C-SiC两种晶相共存).以370nm波长光激发样品薄膜表面,显示较强的447nm蓝光发射,其发光机制可能是空位缺陷及其它晶格缺陷形成的浅施主能级向价带的电子辐射复合跃迁.
用脈遲ArF準分子激光鎔蝕SiC陶瓷靶,在800C Si(100)襯底上澱積SiC薄膜,經不同溫度真空(10-3Pa)退火後,用FTIR、XRD、TEM、XPS、PL譜等分析方法,研究瞭薄膜最佳晶化溫度及錶麵形態、結構、組成,併對在最佳退火溫度處理後的樣品進行瞭化學態、微結構及光緻髮光的研究.結果錶明,在Si(100)上800C澱積的樣品為非晶SiC薄膜.經850-1050C不同溫度真空退火後,SiC薄膜經非晶覈化-長大過程,在980C完成最佳晶化.隨退火溫度的變化,薄膜中可能存在3C-SiC與6H-SiC的競爭生長或/和3C-SiC相的長、消(最佳溫度退火樣品中6H-SiC和3C-SiC兩種晶相共存).以370nm波長光激髮樣品薄膜錶麵,顯示較彊的447nm藍光髮射,其髮光機製可能是空位缺陷及其它晶格缺陷形成的淺施主能級嚮價帶的電子輻射複閤躍遷.
용맥충ArF준분자격광용식SiC도자파,재800C Si(100)츤저상정적SiC박막,경불동온도진공(10-3Pa)퇴화후,용FTIR、XRD、TEM、XPS、PL보등분석방법,연구료박막최가정화온도급표면형태、결구、조성,병대재최가퇴화온도처리후적양품진행료화학태、미결구급광치발광적연구.결과표명,재Si(100)상800C정적적양품위비정SiC박막.경850-1050C불동온도진공퇴화후,SiC박막경비정핵화-장대과정,재980C완성최가정화.수퇴화온도적변화,박막중가능존재3C-SiC여6H-SiC적경쟁생장혹/화3C-SiC상적장、소(최가온도퇴화양품중6H-SiC화3C-SiC량충정상공존).이370nm파장광격발양품박막표면,현시교강적447nm람광발사,기발광궤제가능시공위결함급기타정격결함형성적천시주능급향개대적전자복사복합약천.
