半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
9期
966-971
,共6页
应变硅锗%pMOSFET%击穿%模拟%分析
應變硅鍺%pMOSFET%擊穿%模擬%分析
응변규타%pMOSFET%격천%모의%분석
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.
以半導體器件二維數值模擬程序Medici為工具,模擬和對比瞭SiGe pMOS同Si pMOS的漏結擊穿電壓隨柵極偏壓、柵氧化層厚度和襯底濃度的變化關繫;研究瞭SiGe pMOS垂直層結構參數硅帽層厚度、SiGe層厚度及Ge劑量和p+ δ摻雜對于擊穿特性的影響.髮現SiGe pMOS擊穿主要由窄帶隙的應變SiGe層決定,擊穿電壓明顯低于Si pMOS併隨Ge組分增加而降低;SiGe/Si異質結對電場分佈產生顯著影響,同Si pMOS相比電場和踫撞電離具有多峰值分佈的特點;Si帽層及SiGe層參數對擊穿特性有明顯影響,增加p型δ摻雜後SiGe pMOS呈現穿通擊穿機製.
이반도체기건이유수치모의정서Medici위공구,모의화대비료SiGe pMOS동Si pMOS적루결격천전압수책겁편압、책양화층후도화츤저농도적변화관계;연구료SiGe pMOS수직층결구삼수규모층후도、SiGe층후도급Ge제량화p+ δ참잡대우격천특성적영향.발현SiGe pMOS격천주요유착대극적응변SiGe층결정,격천전압명현저우Si pMOS병수Ge조분증가이강저;SiGe/Si이질결대전장분포산생현저영향,동Si pMOS상비전장화팽당전리구유다봉치분포적특점;Si모층급SiGe층삼수대격천특성유명현영향,증가p형δ참잡후SiGe pMOS정현천통격천궤제.
