电子技术应用
電子技術應用
전자기술응용
APPLICATION OF ELECTRONIC TECHNIQUE
2004年
7期
74-76
,共3页
薛立勤%应建华%颜学超%邹雪城
薛立勤%應建華%顏學超%鄒雪城
설립근%응건화%안학초%추설성
时钟芯片%功耗%CMOS%工艺
時鐘芯片%功耗%CMOS%工藝
시종심편%공모%CMOS%공예
在时钟芯片设计的各个层次上深入探讨了影响时钟芯片功耗的主要因素,确定了电路功耗主要来源与振荡电路和分频电路.在电路实现过程中,通过采用不同工作电压和对主要功耗电路的结构和参数进行优化设计等多种手段来控制功耗.通过1.2μm工艺流片验证,在工作电压为5V时,芯片工作电流为0.17mA,实现了低功耗时钟芯片的设计.
在時鐘芯片設計的各箇層次上深入探討瞭影響時鐘芯片功耗的主要因素,確定瞭電路功耗主要來源與振盪電路和分頻電路.在電路實現過程中,通過採用不同工作電壓和對主要功耗電路的結構和參數進行優化設計等多種手段來控製功耗.通過1.2μm工藝流片驗證,在工作電壓為5V時,芯片工作電流為0.17mA,實現瞭低功耗時鐘芯片的設計.
재시종심편설계적각개층차상심입탐토료영향시종심편공모적주요인소,학정료전로공모주요래원여진탕전로화분빈전로.재전로실현과정중,통과채용불동공작전압화대주요공모전로적결구화삼수진행우화설계등다충수단래공제공모.통과1.2μm공예류편험증,재공작전압위5V시,심편공작전류위0.17mA,실현료저공모시종심편적설계.
