中国激光
中國激光
중국격광
CHINESE JOURNAL OF LASERS
2004年
11期
1381-1384
,共4页
王书荣%王圩%朱洪亮%张瑞英%赵玲娟%周帆%田慧良
王書榮%王圩%硃洪亮%張瑞英%趙玲娟%週帆%田慧良
왕서영%왕우%주홍량%장서영%조령연%주범%전혜량
光电子学%半导体光放大器%张应变%偏振不灵敏%信号增益%饱和输出功率
光電子學%半導體光放大器%張應變%偏振不靈敏%信號增益%飽和輸齣功率
광전자학%반도체광방대기%장응변%편진불령민%신호증익%포화수출공솔
采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入0.20%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA).在低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)的过程中,只需调节三甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量.制作的半导体光放大器在200 mA的注入电流下,获得了50nm宽的3 dB光带宽和小于0.5dB的增益抖动;重要的是,半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于1.1dB的偏振灵敏度.对于1.55μm波长的信号光,在200 mA的偏置下,其偏振灵敏度小于1 dB,同时获得了大于14dB光纤到光纤的增益,3 dBm的饱和输出功率和大于30 dB的芯片增益.用作波长变换器,可获得较高的波长变换效率.进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率,可得到性能更佳的半导体光放大器.
採用三元InGaAs體材料為有源區,通過直接在InGaAs體材料中引入0.20%張應變來加彊TM模的增益,研製瞭一種適閤于作波長變換器的偏振不靈敏半導體光放大器(SOA).在低壓金屬有機化學氣相外延(LP-MOVPE)的過程中,隻需調節三甲基Ga的源流量便可穫得所要求的張應變量.製作的半導體光放大器在200 mA的註入電流下,穫得瞭50nm寬的3 dB光帶寬和小于0.5dB的增益抖動;重要的是,半導體光放大器能在較大的電流和波長範圍裏實現小于1.1dB的偏振靈敏度.對于1.55μm波長的信號光,在200 mA的偏置下,其偏振靈敏度小于1 dB,同時穫得瞭大于14dB光纖到光纖的增益,3 dBm的飽和輸齣功率和大于30 dB的芯片增益.用作波長變換器,可穫得較高的波長變換效率.進一步提高半導體光放大器與光纖的耦閤效率,可得到性能更佳的半導體光放大器.
채용삼원InGaAs체재료위유원구,통과직접재InGaAs체재료중인입0.20%장응변래가강TM모적증익,연제료일충괄합우작파장변환기적편진불령민반도체광방대기(SOA).재저압금속유궤화학기상외연(LP-MOVPE)적과정중,지수조절삼갑기Ga적원류량편가획득소요구적장응변량.제작적반도체광방대기재200 mA적주입전류하,획득료50nm관적3 dB광대관화소우0.5dB적증익두동;중요적시,반도체광방대기능재교대적전류화파장범위리실현소우1.1dB적편진령민도.대우1.55μm파장적신호광,재200 mA적편치하,기편진령민도소우1 dB,동시획득료대우14dB광섬도광섬적증익,3 dBm적포화수출공솔화대우30 dB적심편증익.용작파장변환기,가획득교고적파장변환효솔.진일보제고반도체광방대기여광섬적우합효솔,가득도성능경가적반도체광방대기.
