半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
3期
289-293
,共5页
徐庆安%张景文%杨晓东%巨楷如%贺永宁%侯洵
徐慶安%張景文%楊曉東%巨楷如%賀永寧%侯洵
서경안%장경문%양효동%거해여%하영저%후순
ZnO%激光分子束外延%X射线衍射%光致发光谱%反射式高能电子衍射
ZnO%激光分子束外延%X射線衍射%光緻髮光譜%反射式高能電子衍射
ZnO%격광분자속외연%X사선연사%광치발광보%반사식고능전자연사
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450 ℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析.测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差.这说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析.
在藍寶石C麵上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分彆在250、300、350、400和450 ℃下生長瞭高度C軸取嚮的ZnO薄膜,併對樣品進行瞭X射線衍射、光緻髮光譜及反射式高能電子衍射的分析.測試結果錶明,較低溫度時,隨著生長溫度的升高,薄膜的結晶及髮光性能得到提高;但是噹溫度進一步升高,卻有所變差.這說明利用L-MBE繫統製備ZnO薄膜存在一閤適的溫度範圍,併對此機理進行瞭深入分析.
재람보석C면상이용격광분자속외연(L-MBE)적방법,분별재250、300、350、400화450 ℃하생장료고도C축취향적ZnO박막,병대양품진행료X사선연사、광치발광보급반사식고능전자연사적분석.측시결과표명,교저온도시,수착생장온도적승고,박막적결정급발광성능득도제고;단시당온도진일보승고,각유소변차.저설명이용L-MBE계통제비ZnO박막존재일합괄적온도범위,병대차궤리진행료심입분석.
