采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜
채용량보압강법제비우질미정규박막
Preparation of High-quality Hydrogenated Microcrystalline Silicon Thin Films Using Two-step-pressure Method
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2006年 6期 1203-1208 ,共6页

    朱秀红%陈光华%刘国汉%丁毅%何斌%张文理%马占洁%郜志华%李志中

    주수홍%진광화%류국한%정의%하빈%장문리%마점길%고지화%리지중

    微晶硅%沉积速度%晶化比%孵化层%稳定性 微晶硅%沉積速度%晶化比%孵化層%穩定性
    미정규%침적속도%정화비%부화층%은정성
    针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度,从而需要较高沉积速度的问题,考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响,在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上,提出了采用两步法来制备高质量微晶硅薄膜的方法.即先采用高压制备薄膜2min,减小非晶转微晶的孵化层厚度,然后再采用低压制备薄膜18min,提高薄膜的致密度及减小氧含量,最后制备出了光敏性较高,晶化比较大并且光照稳定性也较好的优质氢化微晶硅薄膜.
    침대경화미정규박막흡수계수교저、제비수요교고후도,종이수요교고침적속도적문제,고필도압강대침적속도급정화비적중요영향,재분석료단일압강법제비박막우결점적기출상,제출료채용량보법래제비고질량미정규박막적방법.즉선채용고압제비박막2min,감소비정전미정적부화층후도,연후재채용저압제비박막18min,제고박막적치밀도급감소양함량,최후제비출료광민성교고,정화비교대병차광조은정성야교호적우질경화미정규박막.
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