半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
7期
1134-1138
,共5页
冯高明%刘波%吴良才%宋志棠%封松林%陈宝明
馮高明%劉波%吳良纔%宋誌棠%封鬆林%陳寶明
풍고명%류파%오량재%송지당%봉송림%진보명
相变存储器%W亚微米管加热电极%电学性能%疲劳特性
相變存儲器%W亞微米管加熱電極%電學性能%疲勞特性
상변존저기%W아미미관가열전겁%전학성능%피로특성
为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.
為瞭降低C-RAM器件的操作電流,利用0.18μm標準CMOS工藝線製備齣外徑為260nm的W亞微米管加熱電極,併對其進行瞭電學性能的錶徵.使用W亞微米管加熱電極製備齣C-RAM器件,併通過疲勞特性測試分析瞭器件失效的原因.結果錶明,W亞微米管具有良好的電學穩定性和疲勞特性,為降低C-RAM器件的操作電流提供瞭一種非常有效的途徑.
위료강저C-RAM기건적조작전류,이용0.18μm표준CMOS공예선제비출외경위260nm적W아미미관가열전겁,병대기진행료전학성능적표정.사용W아미미관가열전겁제비출C-RAM기건,병통과피로특성측시분석료기건실효적원인.결과표명,W아미미관구유량호적전학은정성화피로특성,위강저C-RAM기건적조작전류제공료일충비상유효적도경.
