中国表面工程
中國錶麵工程
중국표면공정
CHINA SURFACE ENGINEERING
2008年
2期
11-14
,共4页
江少群%马欣新%唐光泽%孙明仁%王刚
江少群%馬訢新%唐光澤%孫明仁%王剛
강소군%마흔신%당광택%손명인%왕강
薄膜%磁控溅射%沉积速率
薄膜%磁控濺射%沉積速率
박막%자공천사%침적속솔
采用直流磁控溅射技术,在不同的O2/(O2+Ar)体积比条件下于Si(100)基片上沉积La-Sr-Mn-O薄膜,结合扫描电子显微分析研究了O2/(O2+Ar)比对薄膜沉积速率的影响.结果表明:薄膜厚度均匀,O2/(O2+Ar)比是影响薄膜沉积速率的重要因素.基体温度和溅射气压较高时,薄膜沉积速率随O2/(O2+Ar)比增加呈抛物线规律下降,O2/(O2+Ar)比由4.4%增加到45.6%,沉积速率减小量可达52.8%;基体温度和溅射气压较低时,薄膜沉积速率随O2/(O2+Ar)比增大呈指数规律下降.薄膜沉积速率下降是由于被溅射原子/离子与氧原子/离子的碰撞几率随氧气含量增加而增大,从而降低了被溅射粒子的能量,使到达基片的粒子数减少.
採用直流磁控濺射技術,在不同的O2/(O2+Ar)體積比條件下于Si(100)基片上沉積La-Sr-Mn-O薄膜,結閤掃描電子顯微分析研究瞭O2/(O2+Ar)比對薄膜沉積速率的影響.結果錶明:薄膜厚度均勻,O2/(O2+Ar)比是影響薄膜沉積速率的重要因素.基體溫度和濺射氣壓較高時,薄膜沉積速率隨O2/(O2+Ar)比增加呈拋物線規律下降,O2/(O2+Ar)比由4.4%增加到45.6%,沉積速率減小量可達52.8%;基體溫度和濺射氣壓較低時,薄膜沉積速率隨O2/(O2+Ar)比增大呈指數規律下降.薄膜沉積速率下降是由于被濺射原子/離子與氧原子/離子的踫撞幾率隨氧氣含量增加而增大,從而降低瞭被濺射粒子的能量,使到達基片的粒子數減少.
채용직류자공천사기술,재불동적O2/(O2+Ar)체적비조건하우Si(100)기편상침적La-Sr-Mn-O박막,결합소묘전자현미분석연구료O2/(O2+Ar)비대박막침적속솔적영향.결과표명:박막후도균균,O2/(O2+Ar)비시영향박막침적속솔적중요인소.기체온도화천사기압교고시,박막침적속솔수O2/(O2+Ar)비증가정포물선규률하강,O2/(O2+Ar)비유4.4%증가도45.6%,침적속솔감소량가체52.8%;기체온도화천사기압교저시,박막침적속솔수O2/(O2+Ar)비증대정지수규률하강.박막침적속솔하강시유우피천사원자/리자여양원자/리자적팽당궤솔수양기함량증가이증대,종이강저료피천사입자적능량,사도체기편적입자수감소.
