微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
2期
70-74,90
,共6页
郭婷婷%刘明%管伟华%胡媛%李志刚%龙世兵%陈军宁
郭婷婷%劉明%管偉華%鬍媛%李誌剛%龍世兵%陳軍寧
곽정정%류명%관위화%호원%리지강%룡세병%진군저
纳米晶%保持特性%高介电常数隧穿介质%金属纳米晶%浮栅存储器
納米晶%保持特性%高介電常數隧穿介質%金屬納米晶%浮柵存儲器
납미정%보지특성%고개전상수수천개질%금속납미정%부책존저기
介绍了在纳米晶浮栅存储器数据保持特性方面的研究工作,重点介绍了纳米晶材料的选择与制备和遂穿介质层工程.研究证明,金属纳米晶浮栅存储器比半导体纳米晶浮栅存储器具有更好的电荷保持特性.并且金属纳米晶制备方法简单,通过电子束蒸发热退火的方法就能够得到质量较好的金属纳米晶,密度约4×1011 cm-2,纳米晶尺寸约6～7 nm.实验证明,高介电常数隧穿介质能够明显改善浮栅存储器的电荷保持特性,所以在引入金属纳米晶和高介电常数遂穿介质之后,纳米晶浮栅存储器可能成为下一代非挥发性存储器的候选者.
介紹瞭在納米晶浮柵存儲器數據保持特性方麵的研究工作,重點介紹瞭納米晶材料的選擇與製備和遂穿介質層工程.研究證明,金屬納米晶浮柵存儲器比半導體納米晶浮柵存儲器具有更好的電荷保持特性.併且金屬納米晶製備方法簡單,通過電子束蒸髮熱退火的方法就能夠得到質量較好的金屬納米晶,密度約4×1011 cm-2,納米晶呎吋約6～7 nm.實驗證明,高介電常數隧穿介質能夠明顯改善浮柵存儲器的電荷保持特性,所以在引入金屬納米晶和高介電常數遂穿介質之後,納米晶浮柵存儲器可能成為下一代非揮髮性存儲器的候選者.
개소료재납미정부책존저기수거보지특성방면적연구공작,중점개소료납미정재료적선택여제비화수천개질층공정.연구증명,금속납미정부책존저기비반도체납미정부책존저기구유경호적전하보지특성.병차금속납미정제비방법간단,통과전자속증발열퇴화적방법취능구득도질량교호적금속납미정,밀도약4×1011 cm-2,납미정척촌약6～7 nm.실험증명,고개전상수수천개질능구명현개선부책존저기적전하보지특성,소이재인입금속납미정화고개전상수수천개질지후,납미정부책존저기가능성위하일대비휘발성존저기적후선자.
