材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2009年
4期
410-414
,共5页
祝元坤%朱嘉琦%韩杰才%梁军%张元纯
祝元坤%硃嘉琦%韓傑纔%樑軍%張元純
축원곤%주가기%한걸재%량군%장원순
无机非金属材料%磁控溅射%热稳定性%高温退火%SiC薄膜
無機非金屬材料%磁控濺射%熱穩定性%高溫退火%SiC薄膜
무궤비금속재료%자공천사%열은정성%고온퇴화%SiC박막
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜,研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化.结果表明,薄膜主要以非晶为主,由Si-C键,C-C键和少量Si的氧化物杂质组成;在真空条件下经高温退火后,薄膜C-C键的含量减少,而Si-C键的含量增加,真空退火有利于SiC的形成;在800℃空气中退火后,薄膜表面生成一层致密的SiO2薄层,阻止了氧气与薄膜内部深层的接触,有效保护了内部的SiC.在空气条件下,SiC薄膜在800℃具有较好的热稳定性.
採用磁控濺射方法在Si基底上製備SiC薄膜,研究瞭SiC薄膜經不同溫度和氣氛條件高溫退火前後結構、成份的變化.結果錶明,薄膜主要以非晶為主,由Si-C鍵,C-C鍵和少量Si的氧化物雜質組成;在真空條件下經高溫退火後,薄膜C-C鍵的含量減少,而Si-C鍵的含量增加,真空退火有利于SiC的形成;在800℃空氣中退火後,薄膜錶麵生成一層緻密的SiO2薄層,阻止瞭氧氣與薄膜內部深層的接觸,有效保護瞭內部的SiC.在空氣條件下,SiC薄膜在800℃具有較好的熱穩定性.
채용자공천사방법재Si기저상제비SiC박막,연구료SiC박막경불동온도화기분조건고온퇴화전후결구、성빈적변화.결과표명,박막주요이비정위주,유Si-C건,C-C건화소량Si적양화물잡질조성;재진공조건하경고온퇴화후,박막C-C건적함량감소,이Si-C건적함량증가,진공퇴화유리우SiC적형성;재800℃공기중퇴화후,박막표면생성일층치밀적SiO2박층,조지료양기여박막내부심층적접촉,유효보호료내부적SiC.재공기조건하,SiC박막재800℃구유교호적열은정성.
