CAJ | 학술논문

万方数据

原子能科学技术 원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年 2期 220-223 ,共4页

王祖军%陈伟%张勇%唐本奇%肖志刚%黄绍艳%刘敏波%刘以农

왕조군%진위%장용%당본기%초지강%황소염%류민파%류이농

PIN光电二极管%中子辐照%暗电流%数值模拟 PIN光電二極管%中子輻照%暗電流%數值模擬
PIN광전이겁관%중자복조%암전류%수치모의

分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型.运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1 MeV中子在辐照注量为1010～1014cm-2时,Si PIN光电二极管暗电流变化的初步规律.数值模拟结果与相关文献给出的实验结果吻合较好.
분석료중자복조유도Si PIN광전이겁관암전류증대현상적궤리,건립료Si PIN광전이겁관적기건물리모형화중자복조효응모형.운용MEDICI연건진행수치모의계산,득출료1 MeV중자재복조주량위1010～1014cm-2시,Si PIN광전이겁관암전류변화적초보규률.수치모의결과여상관문헌급출적실험결과문합교호.