半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
2期
105-109
,共5页
神经功能重建%微电子神经桥%神经信号探测%低功耗%互补金属氧化物半导体
神經功能重建%微電子神經橋%神經信號探測%低功耗%互補金屬氧化物半導體
신경공능중건%미전자신경교%신경신호탐측%저공모%호보금속양화물반도체
神经传导束中断是脊髓损伤后功能障碍的主要原因.微电子神经桥是利用微电子芯片或模块旁路受损神经传导束,重建因神经通路中断而丧失的功能.设计了一种基于0.5 μm CMOS工艺的低功耗、全集成微电子神经桥电路,版图面积为1.21 mm ×1.18 mm.详细介绍了微电子神经桥核心单元电路低功耗两级运算放大器和输入/输出轨至轨运算放大器的设计.仿真结果表明,微电子神经桥接系统的通频带完全覆盖神经信号的频谱范围,增益可调至足够大,适用于神经信号探测和功能电激励.系统在±2.5V供电情况下,功耗仅为3.4 mW,低功耗和系统全集成使得微电子神经桥向最终实现体内植入迈进了一步.
神經傳導束中斷是脊髓損傷後功能障礙的主要原因.微電子神經橋是利用微電子芯片或模塊徬路受損神經傳導束,重建因神經通路中斷而喪失的功能.設計瞭一種基于0.5 μm CMOS工藝的低功耗、全集成微電子神經橋電路,版圖麵積為1.21 mm ×1.18 mm.詳細介紹瞭微電子神經橋覈心單元電路低功耗兩級運算放大器和輸入/輸齣軌至軌運算放大器的設計.倣真結果錶明,微電子神經橋接繫統的通頻帶完全覆蓋神經信號的頻譜範圍,增益可調至足夠大,適用于神經信號探測和功能電激勵.繫統在±2.5V供電情況下,功耗僅為3.4 mW,低功耗和繫統全集成使得微電子神經橋嚮最終實現體內植入邁進瞭一步.
신경전도속중단시척수손상후공능장애적주요원인.미전자신경교시이용미전자심편혹모괴방로수손신경전도속,중건인신경통로중단이상실적공능.설계료일충기우0.5 μm CMOS공예적저공모、전집성미전자신경교전로,판도면적위1.21 mm ×1.18 mm.상세개소료미전자신경교핵심단원전로저공모량급운산방대기화수입/수출궤지궤운산방대기적설계.방진결과표명,미전자신경교접계통적통빈대완전복개신경신호적빈보범위,증익가조지족구대,괄용우신경신호탐측화공능전격려.계통재±2.5V공전정황하,공모부위3.4 mW,저공모화계통전집성사득미전자신경교향최종실현체내식입매진료일보.
