Te掺杂AlSb多晶薄膜的性质研究
Te참잡AlSb다정박막적성질연구
The studyon Te-doped AlSb polycrystalline thin films
  • 万方数据
    四川大学学报（自然科学版） 사천대학학보（자연과학판）
    JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
    2012年 3期 661-664 ,共4页

    郝霞%江洪超%赵宇%冷丹%武莉莉%冯良桓%李卫%张静全%曾广根%王文武

    학하%강홍초%조우%랭단%무리리%풍량환%리위%장정전%증엄근%왕문무

    Te掺杂%AlSb多晶薄膜 Te摻雜%AlSb多晶薄膜
    Te참잡%AlSb다정박막
    本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了AlxTey化合物.AlSb:Te薄膜在150℃～170℃之间表现出反常的电导率温度行为,且AlSb:Te薄膜在这一温度区间退火后呈现n型导电类型,而在更低或更高温度退火则为p型导电类型,这样的实验结果尚未见他人报道.
    본문용증발적방법재AlSb박막상증도일층Te막,재경과퇴화처리사Te확산진입AlSb실현참잡.대박막적결구、전학급전자학성질진행료표정.결과표명,AlSb:Te박막재퇴화후,출현료AlxTey화합물.AlSb:Te박막재150℃～170℃지간표현출반상적전도솔온도행위,차AlSb:Te박막재저일온도구간퇴화후정현n형도전류형,이재경저혹경고온도퇴화칙위p형도전류형,저양적실험결과상미견타인보도.
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