CdZnTe晶体的缺陷能级分析
CdZnTe정체적결함능급분석
Analysis of the Defect Energy Level of CdZnTe Single Crystal
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2004年 2期 189-191 ,共3页

    韦永林%朱世富%赵北君%王瑞林%高德友%魏昭荣%李含东%唐世红

    위영림%주세부%조북군%왕서림%고덕우%위소영%리함동%당세홍

    CZT单晶体%I-T特性曲线%激活能%探测器%缺陷能级 CZT單晶體%I-T特性麯線%激活能%探測器%缺陷能級
    CZT단정체%I-T특성곡선%격활능%탐측기%결함능급
    通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te (CZT)单晶体的I-T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV.由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器.另外还研究了CZT晶体在室温下的I-V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω*cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am 59.5keV能谱.
    통과측시부Cd원료무자정수직포리기만법생장출적고조Cd0.8Zn0.2Te (CZT)단정체적I-T특성곡선,이용열격활능원리래분석단정체내적결함,결과득도정체중유일개유력공위인기적전자함정,기심도위0.539eV.유우부획능급유교고적격활능,재상온하,개대상적재류자불회피격발,소이해정체괄용우제작실온핵복사탐측기.령외환연구료CZT정체재실온하적I-V특성,측득채용해방법생장적CZT단정체전조솔고체5.0×1010Ω*cm,제작적핵복사탐측기재실온하획득료비교호적241Am 59.5keV능보.
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